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揭秘新能源汽车“续航革命”的半导体密码

  2026-01-07   35  

当2025年冬测数据显示,即便是主流新能源车型在-25℃极寒环境下的续航达成率仍不足50%,续航焦虑依然是横在消费者与新能源汽车之间的一道鸿沟。长久以来,人们普遍将续航提升的希望寄托于电池能量密度的突破,但现实是,电池技术迭代的边际效益正逐渐递减,而另一个“隐形引擎”——半导体,早已成为续航革命的核心推手。从特斯拉Model 3换装碳化硅(SiC)电控后续航提升15%,到理想自研碳化硅芯片硬生生“抠出”47公里续航,这些案例都在印证一个事实:续航的竞争,本质是半导体技术的竞争。通过深入拆解功率半导体、BMS芯片、AI传感器等核心器件,揭秘半导体如何通过优化能耗、加速快充、智能管理三大路径,重塑新能源汽车的续航逻辑。



续航瓶颈的底层逻辑:为何半导体是破局关键

新能源汽车的续航损耗,主要集中在三大核心环节:电机驱动能耗、电池充放电损耗、车载电器待机功耗。其中,电机驱动能耗占整车能耗的60%-70%,是续航损耗的“重灾区”。

长期以来,车企试图通过提升电池能量密度突破续航瓶颈,但数据显示,电池能量密度每提升1%,成本就会上涨5%-8%,边际效益持续走低。而半导体技术的优化,却能以更低的成本撬动更高的能效提升。我们可以用一个简单公式理解二者的关联:实际续航=电池总电量×能量利用效率-额外功耗。在电池总电量增幅有限的情况下,半导体正是决定“能量利用效率”的核心变量——通过精准控制能量流向、降低传输损耗,让每一度电都能转化为实实在在的续航里程。


硬核器件拆解:三大核心半导体品类支撑续航革命

功率半导体:新能源汽车的“能量守门人”

功率半导体是新能源汽车能量传输的核心枢纽,主要应用于电机电控、车载充电机(OBC)、直流变换器(DC/DC)等关键部件,其性能直接决定能量损耗的高低。

传统新能源汽车多采用硅基IGBT器件,但这类器件存在导通电阻大、开关损耗高的短板。而以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,凭借更优的电学性能,可将开关损耗减少50%以上。实测数据显示,搭载SiC电控系统的车型,续航里程可直接提升10%-20%。同时,SiC器件的高耐压特性,还能支撑800V高压平台,为超快充技术奠定基础。特斯拉Model 3换装SiC电控后,不仅续航提升15%,快充功率也同步升级至250kW,成为功率半导体赋能续航的典型案例。


BMS电池管理芯片:电池续航的“智能管家”

如果说功率半导体是“能量守门人”,那么电池管理系统(BMS)芯片就是电池续航的“智能管家”。其核心功能是精准监测电芯的电压、电流、温度,精度可达±1%,并通过优化充放电策略,实现电芯均衡管理与安全防护

在续航层面,BMS芯片的作用体现在两个关键维度:一是避免电芯“过充过放”,延长电池循环寿命——从传统的1000次提升至1500次,保障车辆全生命周期的续航稳定;二是动态调整充放电效率,例如在低温环境下,通过精准温控减少电池活性损耗,提升冬季续航达成率。比亚迪刀片电池搭载的自研BMS芯片,就通过优化电芯均衡算法,让电池在循环充放电1000次后,容量保持率仍超过80%。


传感器与AI芯片:续航优化的“智慧大脑”

续航优化不仅需要“硬件节流”,更需要“软件智能”,而传感器与AI芯片正是实现智能能耗管理的核心载体。

车载传感器包括电流传感器、温度传感器、压力传感器等,它们实时采集电池状态、电机负载、路况信息等数据,为能耗调节提供精准依据。而AI芯片则像“智慧大脑”,通过学习驾驶习惯、路况特征(高速/市区),动态调整动力输出策略——例如在市区拥堵路段降低电机功率,在高速路段优化能量回收效率。蔚来NOP+领航辅助系统搭载的AI芯片,可使能量回收效率提升30%,等效增加10%的续航里程,真正实现“软件定义续航”。


技术落地场景:半导体如何让续航“看得见、用得爽”

半导体技术对续航的赋能,最终要落地到用户可感知的场景中,解决“续航短、充电慢、冬季缩水”三大痛点。

快充加速场景:高耐压的SiC功率半导体支撑800V高压平台,让“充电5分钟,续航200公里”成为现实。小鹏G9搭载的800V高压SiC平台,充电15分钟即可补能300公里,彻底缓解补能焦虑。

能效优化场景:低功耗半导体器件大幅降低车载空调、车机系统的待机功耗。实测数据显示,搭载低功耗车规芯片的车型,冬季续航缩水幅度减少15%,极寒环境下的续航达成率显著提升。

智能管理场景:基于AI芯片的续航预测功能,结合导航路况精准显示剩余续航,避免传统续航“虚标”问题。用户可根据实时续航数据规划路线,彻底告别“里程恐慌”。


产业链视角:车规级半导体的研发与竞争格局

半导体赋能新能源汽车续航,背后是一条横跨材料、制造、应用的全产业链条,而车规级认证与技术门槛,是制约行业发展的核心挑战。



1

上游材料

硅材料技术成熟但性能接近天花板,碳化硅、氮化镓成为技术突破的核心方向。国内企业在碳化硅衬底制备环节实现突破,打破海外厂商垄断。

2

中游制造

车规级半导体需通过AEC-Q100认证,满足耐高温、抗电磁干扰、长寿命(15年以上)等严苛要求,量产良率直接决定成本高低。目前,国内功率半导体企业斯达半导、比亚迪半导体,已实现车规级SiC器件的量产装车。

3

下游应用

车企与半导体企业形成两种合作模式,头部车企选择自研芯片,实现技术深度绑定;多数车企则采用“外购定制”模式,与半导体企业联合开发适配车型的芯片方案。



未来趋势与挑战:半导体如何推动续航再突破

未来,半导体推动新能源汽车续航革命,将呈现三大趋势,但同时也面临诸多挑战。


技术趋势:一是第三代半导体规模化应用,SiC器件成本有望下降至与IGBT持平,2025年装车率超50%;二是芯片集成化,SoC芯片整合控制、计算、通信功能,进一步降低系统功耗;三是半导体与AI深度融合,基于大数据的全域能耗优化,实现“千人千面”的续航策略。

行业挑战:车规级半导体产能不足,交付周期长达12-24个月;碳化硅衬底成本高昂,制约大规模普及;国内企业在芯片设计、制造工艺等环节,与国际巨头仍存在差距。

未来展望:随着技术突破与成本下探,2030年新能源汽车续航有望突破1000公里,其中半导体技术的贡献占比超40%。


从硅基IGBT到碳化硅、氮化镓的材料迭代,从单一器件到“芯片+算法”的系统融合,半导体技术正在改写新能源汽车续航的底层规则。它不仅让2025年冬测中部分车型实现54%的严寒续航达成率,更推动800V高压平台普及,让“充电15分钟,续航450公里”成为现实。未来,随着第三代半导体规模化应用带来成本下探,以及半导体与AI的深度融合,2030年新能源汽车续航突破1000公里将不再是奢望,而这其中半导体技术的贡献占比有望超过40%。这场续航革命,既是车企与半导体企业的协同创新之战,也是国产半导体突破海外技术壁垒、实现产业链自主可控的关键机遇。当半导体的“算力”持续转化为续航的“耐力”,新能源汽车彻底告别续航焦虑、全面替代燃油车的时代,终将加速到来。


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