英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术
2024-03-21 20
英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Generation 2技术在保证高质量和可靠性的基础上，显著提升了MOSFET的主要性能指标，如能量和电荷储量，这一提升幅度高达20%。
这一技术突破不仅大幅提升了整体能效，更为推动低碳化进程做出了积极贡献。随着全球对低碳、环保的重视日益加深，英飞凌的这一创新无疑为工业、消费、汽车等领域的低碳化和数字化发展提供了强大的技术支持。
CoolSiC MOSFET G2技术的推出，进一步发挥了碳化硅在性能上的优势。通过降低能量损耗，这一技术显著提高了功率转换过程中的效率，使得功率半导体应用领域的客户能够享受到更高的性能和更低的能耗。
特别是在光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等领域，CoolSiC MOSFET G2技术展现出了巨大的应用潜力。以电动汽车为例，采用CoolSiC G2的直流快速充电站能够最高减少10%的功率损耗，从而在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率，大大提升了用户体验。同时，基于CoolSiC G2器件的牵引逆变器还能够进一步增加电动汽车的续航里程，为电动汽车市场的快速发展提供了有力支持。
在可再生能源领域，CoolSiC G2技术同样发挥了重要作用。采用这一技术的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低了每瓦成本，提高了太阳能系统的整体经济效益。
总的来说，英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术为功率系统和能量转换领域带来了前所未有的变革。这一技术的广泛应用将有力推动各行业的低碳化进程，为构建绿色、可持续的未来社会做出重要贡献。
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